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SOI芯片光電探測器集成度高

簡要描述：SOI芯片光電探測器集成度高，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

  • 產品型號：ZG
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2024-08-01
  • 訪  問  量：614

詳細介紹

品牌梓冠

SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。


〖性能指標Specifications



參數指標

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗電流

Dark current

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)






                 光電探測器集成度高

SOI芯片光電探測器集成度高

SOI芯片光電探測器集成度高


 

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