芯片_第(4)頁-四川梓冠光電科技有限公司

當前位置：首頁 > 產品中心 > 硅基芯片 > 芯片

產品分類

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

ZG硅基光延時芯片

更新時間：2024-07-23

型號：ZG

瀏覽量：578

硅基光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
了解詳情
ZG硅基 7bit 可調光延時芯片

更新時間：2024-07-25

型號：ZG

瀏覽量：622

硅基 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
了解詳情
硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片

更新時間：2024-07-24

型號：

瀏覽量：633

硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產
了解詳情
ZG硅基6 比特光延時芯片

更新時間：2024-07-24

型號：ZG

瀏覽量：593

硅基6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
了解詳情
ZG硅基單片集成 6 比特光延時芯片

更新時間：2024-07-23

型號：ZG

瀏覽量：590

硅基單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
了解詳情
ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器

更新時間：2024-08-06

型號：ZG-VOA

瀏覽量：556

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現高速響應的可調光路衰減，實現多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅動電路一體化光電封裝，數字化驅動，偏振相關性小，衰減范圍大，調節精度高，衰減值穩定，響應時間為納秒級，可在高速、低時延系統中應用。
了解詳情
ZGSOI芯片光電探測器集成度高

更新時間：2024-08-01

型號：ZG

瀏覽量：614

SOI芯片光電探測器集成度高，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
了解詳情
ZGSOI芯片光電探測器

更新時間：2024-07-30

型號：ZG

瀏覽量：786

SOI芯片光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
了解詳情

共 36 條記錄，當前 4 / 5 頁首頁上一頁下一頁末頁跳轉到第頁

国产精品美女久久久m_久久久精品日本一区二区三区 _日韩超碰人人爽人人做人人添_久久999精品国产只有精品_亚洲国产精品第一区二区三区